GLASS-CORE-TECHNOLOGIE

Kontakt [E-Mail geschützt] wenn Sie Unterstützung bei Ihren Anforderungen an die Mikroelektronik der nächsten Generation benötigen.

ULTRA-MINIATURISIERT | HOCHINTEGRIERT | HOHE LEISTUNG

GLAS-DURCHKONTAKTIERUNGEN (TGV) IN GLASSUBSTRATEN
durch Glas

Das branchenweit einzig bewährte Verfahren zur Metallisierung und hermetischen Versiegelung von ultra-hochdichten Glas-Durchkontaktierungen (TGV) ermöglicht:

  • Extreme Miniaturisierung und Integration
  • Hochleistungsfähige Elektronik
  • Hoch zuverlässige Packaging-Lösungen
REDISTRIBUTION LAYER (RDL) Verschaltungsmuster AUF GLAS
Redistribution Layer

Das einzigartige RDL-Dünnschichtverfahren ermöglicht die Bildung von Schaltkreisen auf Glassubstraten und sorgt so für:

  • Verlustarmes Fan-Out von Chip- und Package-Bauteilen
  • Geringere Kosten im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Interposern
  • Integrierte passive Bauelemente, Filter
  • Endlose IoT-Applikationen
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HOCHLEISTUNGSFÄHIGE ELEKTRONIK

Gewünschte Eigenschaften

Glassubstrate bieten hohe strukturelle Integrität, Vibrations- und Temperaturbeständigkeit, Robustheit gegenüber Umwelteinflüssen und geringe elektrische Verluste, was sie ideal für die Anforderungen der nächsten Generation von Mikroelektronik macht. Der von Samtec entwickelte Glass-Core-Technologieprozess nutzt die Leistungsvorteile von Glas, um leistungsoptimierte, ultra-miniaturisierte Substrate für Designs der nächsten Generation zu ermöglichen.

Automobil-MEMS

Automobil-MEMS und -Sensoren

Sensormodule für intelligente Gebäude

Medizinische Robotiksensoren

RF-Komponenten

HF-Komponenten und -Module

Fortgeschrittene HF-SiP

Automobil-HF

CMOS Bild

CMOS-Bildsensor (CIS)

Automobile Kameramodule

Aktive Bilder und LiDAR

Medizinische Festkörper-Bilder

DESIGNREGELN UND RICHTLINIEN FÜR DIE GLASS-CORE-TECHNOLOGIE

HINWEIS:

Diese Abmessungen sind Richtlinien, die dazu dienen, das Produkt so schnell wie möglich in die Produktion zu bringen. Das gesamte Leistungsvermögen ist nicht auf die unten aufgeführten Spezifikationen beschränkt. Bitte wenden Sie sich an unseren [E-Mail geschützt] für Anwendungen mit höheren Anforderungen.

THROUGH GLASS VIA (TGV) ERMÖGLICHEN GLAS-INTERPOSER

Samtecs Through Glass Via (TGV) ermöglichen Glass-Core-Technologie (d. h. Glas-Interposer, intelligente Glassubstrate und mikrostrukturierte Glassubstrate). TGV-fähige Glassubstrate ermöglichen die Integration von Glas und Metall in einen einzigen Wafer, während Interposer für effizienteres Packaging und Fertigungszykluszeiten sorgen.

Die hermetisch dichten TGV werden aus hochwertigem Borosilikatglas, Quarzglas und Saphir hergestellt. Durch die Verwendung von hochwertigem Glaswafermaterial, kombiniert mit fortschrittlichen Verbindungstechnologien (z. B. Redistribution Layer), ermöglicht die Glass-Core-Technologie von Samtec ein einzigartiges Packaging-Produkt.

Through-Glass Via Querschnittansicht
Standard TGV-Designrichtlinien
Glaseigenschaften und Anwendungen
Borosilikatglas
  • Ausgezeichnete Klarheit und Steifigkeit
  • Hohe Temperaturwechselbeständigkeit
  • CTE an Silizium angepasst
  • Applikationen umfassen:
    • Biomedizin
    • 2.5D/3D Verpackung
    • Displays
    • Optoelektronik
Quarzglas
  • Hochreines Material
  • Niedrige Dielektrizitätskonstante und Verlustfaktor
  • Sehr geringe Wärmeausdehnung
  • Großer Arbeitstemperaturbereich
  • Applikationen umfassen:
    • Biomedizin
    • RF MEMS
    • Optik, Bildverarbeitung und Photonik
Borosilikatglas und Quarzglas
  Detail EINHEITEN
A Nominale Glasstärke 260 µm
B Via Durchmesser (min) 40 µm
  Via Verjüngung 5 Grad
C Via Raster 2 x Via Durchmesser
  Gesamtdickenschwankung (TTV) 15 µm
  Via Positionsgenauigkeit +/- 5 µm

REDISTRIBUTION LAYER (RDL)-TECHNOLOGIE

Samtecs Redistribution Layer (RDL)-Technologie ermöglicht die Schaltungsbildung auf Glassubstraten für die Anbindung an TGV über einen einzigartigen Dünnschichtansatz. Dies sorgt für einen verlustarmes Fan-Out von Chip- und Packaging-Bauteilen und geringere Kosten im Vergleich zu herkömmlichen Interposern auf Siliziumbasis.

Glass-Core-Technologiefähigkeiten
  Technische Daten Aktuell Fahrplan
  Anzahl der Metallschichten pro Seite 2 4
A Glass-Core-Dicke 260 µm 100 – 450 µm
  Via Durchmesser 40 µm 10 µm
  Ringförmiger Ring (Fangkissen) 20 µm größer als Via-Durchmesser  
  Via Raster (min) 2 x Durchmesser 40 µm
D, E Zeile/Abstand (min) 15 µm/15 µm 10 µm/10 µm
F Kupfer-Dicke 1 – 5 µm  
G Dielektrische Dicke 1 und 2 (min) 4 µm  
  Lötkugel-Typen SN63Pb37 und SAC305 Pb95Sn5, Pb90Sn10, Cu/Sn Säulen
  Under Bump Metallization (UBM) ENIG ENIPIG
Draufsicht der Schaltung für Oben/Unten-RDL
Standard TGV-Designrichtlinien
Querschnitt – 2 Metallschichten (aktuelle Fähigkeit)
Profil
Querschnitt – 4 Metallschichten (zukünftige Fähigkeit)
Profil

Besuchen Sie samtec.com/microelectronics, um weitere Informationen über die Glass-Core-Technologie von Samtec und hoch entwickelte IC-AVT zu erhalten. Kontakt [E-Mail geschützt] , um mit unseren Experten über Ihre Anforderungen an die Mikroelektronik der nächsten Generation zu sprechen.

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