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उन्नत पैकेजन डिजाइन

उन्नत पैकेजन अनुप्रयोगों के लिए संपूर्ण डिजाइन और समर्थन

विकास
पैकेजिंग विकासक्रम

डिजाइन प्रक्रिया के प्रारंभिक चरणों से ही संपूर्ण समर्थन उपलब्ध है, जिसमें शामिल हैं:

  • उन्नत आईसी पैकेज डिजाइन
  • सामग्री चयन और प्रापण
  • असेंब्ली प्रक्रियण / संगतता
  • पैकेज की विश्वसनीयता / परीक्षण
प्रारूपण
पैकेजिंग उत्‍पादन

आपके डिजाइन को बाज़ार पर जल्दी उतारने में मदद करने के लिए हम तेज़ प्रारूपण की पेशकश करते हैं, और साथ में ये भी:

  • प्रारंभिक अवधारणा बिल्ड
  • वाजिब एनआरई
  • उद्योग में अग्रणी लीड समय
  • न्यूनीकृत चक्रण बाज़ार तक पहुँचाने में लगने वाला समय बचाता है
उत्पादन
पैकेजिंग प्रोटोटाइपिंग

पूर्ण उत्पादन क्षमताएँ विभन्न आदेश मात्राओं और लागत-स्तरों को समर्थित करती हैं:

  • उच्च निष्पादन स्वचालन / उत्पादन
  • दुहराए जा सकने की क्षमता / प्रक्रिया नियंत्रण
  • साँचों के स्थानांतरण की क्षमता
  • एशाई उपठेकेदार लचीलापन लाते हैं

केंद्रभूत पैकेजन क्षमताएँ

सटीकतापूर्ण साँचा प्रस्थापन

उच्च-गति, उच्च सटीकता साँचा प्रस्थापन (+/- 3 माइक्रॉन तक)

तार बंधन

अति-महीन पिच, अति-निम्न प्रोफाइल वाला बॉल बंधन, वेड्ज बंधन या रिबन बंधन

महीन पिच फ्लिप चिप और जेट अंडरफिल

अत्यंत-उच्च बंप गिनती; साँचों के बीच कसा हुआ अलग-रहें क्षेत्र

एनकैप्स्युलेशन

डैम और फिल, ग्लोब टॉप या अंतरण मोल्डन द्वारा एन्कैप्स्युलेशन

उन्नत पैकेजन और असेंब्ली

उन्नत सबस्ट्रेट, जाँच और मेट्रोलॉजी

काँच के सब्स्ट्रेट का विनिर्माण, फैन आउट प्रौद्योगिकी

2.5डी / 3डी टीxवी प्रौद्योगिकी

वेफर डाइसिंग - 2" से 8" क्षमताएँ; मोटाई 25 μm तक कम

0.4 मिमी जितने कम पिचों के लिए सोल्डर बॉल एटैच

लिड एटैच - AuSn सोल्डर, काँच फ्रिट, हेर्मेटिक, फ्लूइडिक, ऑप्टिकल, मनपसंद सामग्रियाँ

सामान्य डिजाइन दिशा-निर्देश देखें
पैकेजिंग जटिल तार बंधन

जटिल तार बंधन

पैकेजिंग फ्लिप चिप

फ्लिप चिप और अंडरफिल

पैकेजिंग परिशुद्ध डाई

सटीकतापूर्ण साँचा एटैच

पैकेजिंग फिनिशिंग

फिनिशिंग क्षमताएँ

प्रमुख सक्षमकारी प्रौद्योगिकियाँ

Samtec अगली पीढ़ी के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स की घन्तव और निष्पादन माँगों को पूरा करने के लिए नवप्रवर्तनशील उत्पाद और प्रौद्योगिकियाँ विकसित करने के प्रति समर्पित है। हमारी कुछ वर्तमान में विकाधीन प्रौद्योगिकियों में शामिल हैं:

  • तापसंपीडन बंधन
  • स्वर्ण स्टड बंपन
  • एनोडी बंधन (वेफर-से-वेफर)
  • अंतरण मोल्डन (पारंपरित और ऑप्टिल रूप से स्वच्छ मोल्ड यौगिक)
  • अति-सख्त सहिष्णुताओं के साथ सिलिकॉन फोटॉनिक्स और ऑप्टिक्स
आपके आईसी पैकेजन अनुप्रयोगों के लिए समाधानों की चर्चा करने के लिए Samtec माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के विशेषज्ञों से संपर्क करें।
प्रमुख सक्षमकारी प्रौद्योगिकियाँ

आईसी पैकेजन और असेंब्ली डिजाइन दिशा-निर्देश

टिप्पणी

ये आयाम उत्पादों को यथाशीघ्र विनिर्माण तक ले आने में मदद करने हेतु दिशा-निर्देश हैं। पूर्ण क्षमताएँ नीचे सूचीबद्ध विनिर्देशों तक सीमित नहीं हैं। इनसे अधिक सख्त आवश्यकताओं वाले अनुप्रयोगों के लिए, कृपया SME@samtec.com से संपर्क करें।

सटीकतापूर्ण साँचा एटैच

सामान्य साँचा एटैच संरचना और विनिर्देश
  • घेरने वाली फिडूशियल और पड़ोसी वस्तुओं से न्यूनतम दूरी 0.048 मिमी होनी चाहिए।
  • पृष्ठभूमि और फिडूशियल के बीच धूसर स्तर कोंट्रास्ट न्यूनतम रूप से 256 में से 100 धूसर स्तर होना चाहिए
  • फिडूशियल की पृष्ठभूमि में संरचना नहीं होनी चाहिए और पृष्ठभूमि एक ही रंग वाला धूसर स्तर होना चाहिए
  • डिप करने के लिए साँचे का अधिकतम आमाप: 50 मिमी x 50 मिमी
  • साँचे के लिए कोई वैफल-पैक नहीं हस्तन < 1 मिमी2
  • घटकों के लिए लंबाई बनाम चौड़ाई का अधिकतम अनुपात: 5:1
  • सॉ केर्फ कम से कम 25 μm aहोने चाहिए और डाइसिंग टेप के अंदर होने चाहिए (पूरे वेफर मोटाई के लिए)
  • साँचा एटैच सामग्रियाँ गैर-चालक, चालक, साँचा-एटैच-फिल्म (डीएएफ) और सोल्ड पूर्वरूप हो सकती हैं; अन्य प्रक्रियाएँ ग्राहक की आवश्यकताओं के अनुरूप तय की जा सकती हैं
सटीकतापूर्ण साँचा एटैच
सटीकतापूर्ण साँचा एटैच

महीन पिच तार बंधन

वायरिंग और सबस्ट्रेट पैड डिजाइन के लिए सामान्य संरचनाएँ और विनिर्देश

सब्स्ट्रेट और पैड डिजाइन के लिए प्लेटिंग और विन्यास की आवश्यकताएँ तथा तार के प्राचल:

  • वेड्ज बंधन - ईएनआईजी प्लेटिंग हो सकता है; तार के सामान्य प्रकारों में शामिल हैं Al, Au और Pt
  • बॉल बंधन - ईएनईपीआईजी प्लेटिंग की सिफारिश की जाती है; सामान्य तार प्रकारों में शामिल हैं Au और Cu

जिन प्रक्रियाओं में Au बॉल बंधन का उपयोग किया जाता है, उनमें प्रति एमआईएल-जी-45204 स्वर्ण प्लेट, प्रकार III, ग्रेड ए, वर्ग 1 की आवश्यकता होती है:

  • 99.9% शुद्धता न्यूनतम
  • < 90 नूप कठोरता
  • 50μ" मोटाई, न्यूनतम
सटीकतापूर्ण साँचा एटैच
सटीकतापूर्ण साँचा एटैच

फ्लिप चिप और अंडरफिल

पैकेजन आमाप:
  • न्यूनतम: 10 मिमी x 10 मिमी
  • अधिकतम: 63 मिमी x 63 मिमी
फ्लक्स:
  • नो-क्लीन फ्लक्स
  • पानी में विलेय फ्लक्स
  • आरएमए-आधारित फ्लक्स
सब्स्ट्रेट बीजीए सोल्डर बॉल:
  • न्यूनतम आमाप: 0.018" व्यास
  • अधिकतम आमाप: 0.025" व्यास
  • सामग्री: यूटेक्टिक Pb:Sn (37:63) या Pb-फ्रेज़
सब्स्ट्रेट बीजीए पैड:
  • सबसे कम बीजीए बॉल पिच: 0.80 मिमी x 0.80 मिमी
  • दूरतम पिच: कोई प्रतिबंध नहीं
  • पैड विन्यास: कोई भी विन्यास मान्य है
फ्लिप चिप डिजाइन नियम
सब्स्ट्रेट संरचना

पैकेज एन्कैप्स्युलेशन

पैकेज एन्कैप्स्युलेशन के लिए सामान्य संरचना और विनिर्देश
  • अधिकतम एन्कैप्स्युलेशन मोटाई (बोर्ड की सतह से एन्कैप्स्युलेशन के ऊपर तक): 0.024" (600)
  • स्वचालित डिस्पेंस औज़ार गरम करके करने वाले काम का क्षेत्र: 12" x 16"
  • काम करने का कुल क्षेत्र: 20" x 30"
  • मशीन प्रस्थापन सटीकता और दुहराव की क्षमता: +/- 0.001"
प्रोफाइल
सामान्य पैकेज डिजाइन नियम
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