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超高密度な微細孔ガラス基板(TGV)の金属化とハーメチックシーリングのために業界で唯一実績のあるプロセスでできること:
RDLのユニークな薄膜プロセスで、ガラス基板に回路形成でき、これが以下を提供します:
自動車用MEMSとセンサー
スマートビルのセンサーモジュール
医療用ロボット工学センサー
RFコンポーネント&モジュール
アドバンスドRF SiP
自動車用RF
CMOSイメージセンサー(CIS)
自動車用カメラモジュール
アクティブイメージ&LiDAR
ソリッドステート医療用画像
ここに記載される寸法は、製品を製造へといち早く移行させるための目安です。フル能力は、下記の仕様に限定されません。もっと要求の厳しいアプリケーションについては、 [保護されたEメール] までご相談ください。
Samtecの微細孔ガラス基板(TGV)はガラスコアテクノロジー(例、ガラスインターポーザー、スマートガラス基板、ミクロ構造ガラス基板)を実現します。TGVを使用したガラス基板では、1つのウエハーにガラスと金属を統合でき、その上、インターポーザーがパッケージインターコネクトをさらに効率化し、製造サイクルタイムを向上します。
ハーメチックシールされたTGVは、高品質のホウケイ酸ガラス、溶融シリカ(別名、石英)、サファイヤで作製されます。高品質のガラスウエハー材料を使用し、アドバンスドインターコネクトテクノロジー(例、再配線層)を組み合わせることで、Samtecのガラスコアテクノロジーは独自のパッケージング製品を実現します。
微細孔ガラス基板の断面 |
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ガラス特性&アプリケーション
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ホウケイ酸ガラス
溶融シリカ
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詳細 | 単位 | |
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A | ガラス厚(公称) | 260 µm |
B | ビア径(最小) | 40 µm |
ビアテーパリング | 5° | |
C | ビアピッチ | 2 x ビア径 |
TTV(全体の厚みムラ) | 15 µm | |
ビア位置精度 | +/- 5 µm |
Samtecの再配線層(RDL)技術では、ユニークな薄膜アプローチを介してTGVに接合し、ガラス基板上に回路形成ができます。これにより、チップとパッケージインターコネクトの低損失ファンアウトおよび従来のシリコンベースのインターポーザーと比べ低コストを実現します。
仕様 | 現在 | ロードマップ | |
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面あたりの金属層の数 | 2 | 4 | |
A | ガラスコア厚さ | 260 µm | 100 - 450 µm |
ビア径 | 40 µm | 10 µm | |
アニュラリング(キャッチパッド) | ビア径より20 µm大きい | ||
ビアピッチ(最小) | 2 x 直径 | 40 µm | |
D, E | ライン/間隔(最小) | 15 µm / 15 µm | 10 µm / 10 µm |
F | 銅厚 | 1 - 5 µm | |
G | 誘電体厚 1 & 2(最小) | 4 µm | |
はんだボールタイプ | SN63Pb37およびSAC305 | Pb95Sn5、Pb90Sn10、Cu/Snピラー | |
バンプ下冶金(UBM) | ENIG | ENIPIG |
トップ/ボトムRDL回路の平面図 |
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断面図 - 2つの金属層(現在の能力) |
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断面図 - 4つの金属層(将来的な能力) |
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SamtecのガラスコアテクノロジーとアドバンスドICパッケージング能力の詳細は、 samtec.com/microelectronicsよりご覧ください。[保護されたEメール] 次世代マイクロエレクトロニクスのニーズについてはこちらより当社の専門家にご相談ください。