ガラスコア テクノロジー
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超小型 | 高度な統合化 | ハイパフォーマンス
ガラス基板内の微細孔ガラス基板（TGV）
超高密度な微細孔ガラス基板（TGV）の金属化とハーメチックシーリングのために業界で唯一実績のあるプロセスでできること：
- 極度の小型化＆統合
- ハイパフォーマンス エレクトロニクス
- 高信頼性パッケージング ソリューション
ガラス上に再配線層（RDL）回路パターン転写
RDLのユニークな薄膜プロセスで、ガラス基板に回路形成でき、これが以下を提供します：
- 低損失ファンアウト チップとパッケージ インターコネクト
- 従来のシリコンベースのインターポーザーと比べて低コスト
- 統合受動素子、フィルター
- エンドレスIoTアプリケーション
自動車用MEMSとセンサー
スマートビルのセンサーモジュール
医療用ロボット工学センサー
RFコンポーネント＆モジュール
アドバンスドRF SiP
自動車用RF
CMOSイメージセンサー（CIS）
自動車用カメラモジュール
アクティブイメージ＆LiDAR
ソリッドステート医療用画像
ガラスコアテクノロジーの設計ルール＆ガイドライン
注：
ここに記載される寸法は、製品を製造へといち早く移行させるための目安です。フル能力は、下記の仕様に限定されません。もっと要求の厳しいアプリケーションについては、 [保護されたEメール] までご相談ください。
微細孔ガラス基板（TGV）を実現したガラスインターポーザー
Samtecの微細孔ガラス基板（TGV）はガラスコアテクノロジー（例、ガラスインターポーザー、スマートガラス基板、ミクロ構造ガラス基板）を実現します。TGVを使用したガラス基板では、１つのウエハーにガラスと金属を統合でき、その上、インターポーザーがパッケージインターコネクトをさらに効率化し、製造サイクルタイムを向上します。
ハーメチックシールされたTGVは、高品質のホウケイ酸ガラス、溶融シリカ（別名、石英）、サファイヤで作製されます。高品質のガラスウエハー材料を使用し、アドバンスドインターコネクトテクノロジー（例、再配線層）を組み合わせることで、Samtecのガラスコアテクノロジーは独自のパッケージング製品を実現します。
| 微細孔ガラス基板の断面 |
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ガラス特性＆アプリケーション
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ホウケイ酸ガラス
溶融シリカ
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| 詳細 | 単位 | |
|---|---|---|
| A | ガラス厚（公称） | 260 µm |
| B | ビア径（最小） | 40 µm |
| ビアテーパリング | 5° | |
| C | ビアピッチ | 2 x ビア径 |
| TTV（全体の厚みムラ） | 15 µm | |
| ビア位置精度 | +/- 5 µm |
再配線層（RDL）技術
Samtecの再配線層（RDL）技術では、ユニークな薄膜アプローチを介してTGVに接合し、ガラス基板上に回路形成ができます。これにより、チップとパッケージインターコネクトの低損失ファンアウトおよび従来のシリコンベースのインターポーザーと比べ低コストを実現します。
| 仕様 | 現在 | ロードマップ | |
|---|---|---|---|
| 面あたりの金属層の数 | 2 | 4 | |
| A | ガラスコア厚さ | 260 µm | 100 - 450 µm |
| ビア径 | 40 µm | 10 µm | |
| アニュラリング（キャッチパッド） | ビア径より20 µm大きい | ||
| ビアピッチ（最小） | 2 x 直径 | 40 µm | |
| D, E | ライン/間隔（最小） | 15 µm / 15 µm | 10 µm / 10 µm |
| F | 銅厚 | 1 - 5 µm | |
| G | 誘電体厚 1 & 2（最小） | 4 µm | |
| はんだボールタイプ | SN63Pb37およびSAC305 | Pb95Sn5、Pb90Sn10、Cu/Snピラー | |
| バンプ下冶金（UBM） | ENIG | ENIPIG |
| トップ／ボトムRDL回路の平面図 |
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| 断面図 - 2つの金属層（現在の能力） |
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| 断面図 - 4つの金属層（将来的な能力） |
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SamtecのガラスコアテクノロジーとアドバンスドICパッケージング能力の詳細は、 samtec.com/microelectronicsよりご覧ください。[保護されたEメール] 次世代マイクロエレクトロニクスのニーズについてはこちらより当社の専門家にご相談ください。
