ガラスコア テクノロジー

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超小型 | 高度な統合化 | ハイパフォーマンス

ガラス基板内の微細孔ガラス基板(TGV)
微細孔ガラス

超高密度な微細孔ガラス基板(TGV)の金属化とハーメチックシーリングのために業界で唯一実績のあるプロセスでできること:

  • 極度の小型化&統合
  • ハイパフォーマンス エレクトロニクス
  • 高信頼性パッケージング ソリューション
ガラス上に再配線層(RDL)回路パターン転写
再配線層

RDLのユニークな薄膜プロセスで、ガラス基板に回路形成でき、これが以下を提供します:

  • 低損失ファンアウト チップとパッケージ インターコネクト
  • 従来のシリコンベースのインターポーザーと比べて低コスト
  • 統合受動素子、フィルター
  • エンドレスIoTアプリケーション

ハイパフォーマンス エレクトロニクス

所望特性

ガラス基板は、構造上の整合性、耐震性、耐温度性、環境に対する耐久性や低電気損失を有するため、次世代マイクロエレクトロニクスの需要に最適です。Samtecの独自技術であるガラスコアテクノロジープロセスは、ガラスのパフォーマンス上のメリットを活用し、パフォーマンス最適化した超小型基板を次世代設計に実現します。

自動車用mems

自動車用MEMSとセンサー

スマートビルのセンサーモジュール

医療用ロボット工学センサー

rfコンポーネント

RFコンポーネント&モジュール

アドバンスドRF SiP

自動車用RF

cmosイメージ

CMOSイメージセンサー(CIS)

自動車用カメラモジュール

アクティブイメージ&LiDAR

ソリッドステート医療用画像

ガラスコアテクノロジーの設計ルール&ガイドライン

注:

ここに記載される寸法は、製品を製造へといち早く移行させるための目安です。フル能力は、下記の仕様に限定されません。もっと要求の厳しいアプリケーションについては、 [保護されたEメール] までご相談ください。

微細孔ガラス基板(TGV)を実現したガラスインターポーザー

Samtecの微細孔ガラス基板(TGV)はガラスコアテクノロジー(例、ガラスインターポーザー、スマートガラス基板、ミクロ構造ガラス基板)を実現します。TGVを使用したガラス基板では、1つのウエハーにガラスと金属を統合でき、その上、インターポーザーがパッケージインターコネクトをさらに効率化し、製造サイクルタイムを向上します。

ハーメチックシールされたTGVは、高品質のホウケイ酸ガラス、溶融シリカ(別名、石英)、サファイヤで作製されます。高品質のガラスウエハー材料を使用し、アドバンスドインターコネクトテクノロジー(例、再配線層)を組み合わせることで、Samtecのガラスコアテクノロジーは独自のパッケージング製品を実現します。

微細孔ガラス基板の断面
標準TGV設計ガイドライン
ガラス特性&アプリケーション
ホウケイ酸ガラス
  • 優れた透明性&剛性
  • 高い耐熱衝撃性
  • シリコンにマッチするCTE
  • アプリケーション例:
    • バイオメディカル
    • 2.5D / 3Dパッケージング
    • ディスプレイ
    • 光エレクトロニクス
溶融シリカ
  • 高純度材料
  • 低誘電率&低誘電損率
  • 超低熱膨張
  • 広範な動作温度範囲
  • アプリケーション例:
    • バイオメディカル
    • RF MEMS
    • オプティクス、 イメージング、フォトニクス
ホウケイ酸ガラス&溶融シリカ
  詳細 単位
A ガラス厚(公称) 260 µm
B ビア径(最小) 40 µm
  ビアテーパリング
C ビアピッチ 2 x ビア径
  TTV(全体の厚みムラ) 15 µm
  ビア位置精度 +/- 5 µm

再配線層(RDL)技術

Samtecの再配線層(RDL)技術では、ユニークな薄膜アプローチを介してTGVに接合し、ガラス基板上に回路形成ができます。これにより、チップとパッケージインターコネクトの低損失ファンアウトおよび従来のシリコンベースのインターポーザーと比べ低コストを実現します。

ガラスコアテクノロジー能力
  仕様 現在 ロードマップ
  面あたりの金属層の数 2 4
A ガラスコア厚さ 260 µm 100 - 450 µm
  ビア径 40 µm 10 µm
  アニュラリング(キャッチパッド) ビア径より20 µm大きい  
  ビアピッチ(最小) 2 x 直径 40 µm
D, E ライン/間隔(最小) 15 µm / 15 µm 10 µm / 10 µm
F 銅厚 1 - 5 µm  
G 誘電体厚 1 & 2(最小) 4 µm  
  はんだボールタイプ SN63Pb37およびSAC305 Pb95Sn5、Pb90Sn10、Cu/Snピラー
  バンプ下冶金(UBM) ENIG ENIPIG
トップ/ボトムRDL回路の平面図
標準TGV設計ガイドライン
断面図 - 2つの金属層(現在の能力)
プロファイル
断面図 - 4つの金属層(将来的な能力)
プロファイル

SamtecのガラスコアテクノロジーとアドバンスドICパッケージング能力の詳細は、 samtec.com/microelectronicsよりご覧ください。[保護されたEメール] 次世代マイクロエレクトロニクスのニーズについてはこちらより当社の専門家にご相談ください。

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