高密度アレー

さまざまなピッチやスタック高さ、構成に対応し、ルーティング、グランディング、設計の柔軟性を最大限に高める高密度アレー コネクター。


Z-Ray®超低背型アレーZ-Ray®超低背型高密度アレー

コンプレッション コンタクトを備えた、フレキシブルなカスタマイズが可能なZ-Ray®超低背型、高密度アレー。

特徴
  • 標準本体高さ:1 mm
  • 両面コンプレッション コンタクト
  • はんだボール付き片面コンプレッション
  • 最大20 GHz / 40 Gbpsのパフォーマンス
  • 0.80 mmまたは1.00 mmピッチ標準
  • フレキシブルなカスタマイズが可能なシステム
シリーズ
V
  • ZA8
  • ZA1
  • ZA8H
  • ZSO
  • ZD
  • ZHSI
Z-Ray®超低背型アレー

SEARAY™SEARAY™高密度オープンピンフィールド アレー

これらの高速で高密度なオープンピンフィールド アレーは、信号とグラウンドのルーティングに最大限の柔軟性を与えます。

特徴
  • ルーティングとグラウンディングの最大限の柔軟性
  • 典型的なアレー製品と比べて低い挿抜力
  • 1ペアあたり最大18 GHzのパフォーマンス
  • オープンピン フィールド設計で最大500のI/O
  • 1.27 mm(.050")ピッチおよびコンパクトな0.80 mmピッチ
  • 堅牢なEdge Rate®コンタクト
  • ある程度の斜め嵌合/抜去が可能
  • ソルダーチャージ端子で実装が簡単
  • Extended Life製品 (E.L.P.™) 標準規格に準拠
  • スタック高さ7 - 17 mm
  • バーティカル、 ライトアングル、プレスフィット
  • 40 mmまでのエレベーテッド システム
  • 85Ω システム
  • VITA 47、VITA 57、Pismo 2認証取得
  • IPC J-STD-001F(はんだ付される電気及び電⼦組⽴品に関する要件事項)-クラス3 高性能/厳しい環境向けエレクトロニクス製品要件に準拠(SEAM/SEAFシリーズのみ)
  • IPC-A-610F電子部品組立の許容基準 - クラス3 高性能/厳しい環境向けエレクトロニクス製品要件に準拠(SEAM/SEAFシリーズのみ)
シリーズ
V
  • SEAF
  • SEAM
  • SEAF-RA
  • SEAM-RA
  • SEAMP
  • SEAFP
  • SEAFP-RA
  • SEAR
  • SEAMI
  • JSO
SEARAY™

SEARAY™ 0.80 mmSEARAY™ 0.80 mmピッチ超高密度アレー

これらの超高密度なハイスピード オープンピン フィールドアレーは0.80 mmのピッチを採用し、ボードスペースを最大50%節減します。

特徴
  • 0.80 mm (.0315") ピッチ グリッド
  • .050" (1.27 mm) pitch SEARAY™に比べて50%の省基板スペース
  • パフォーマンス:最大17.5 GHz / 35 Gbps
  • 堅牢なEdge Rate®コンタクト
  • 最大500 I/O
  • スタック高さは7 mmおよび10 mm
  • ソルダーチャージ端子で実装が簡単
  • Samtec 28+ Gbpsソリューション
  • Final Inch®によるブレークアウト領域のトレース ルーティング推奨の認証取得済み(特許出願中)
シリーズ
V
  • SEAM8
  • SEAF8
  • SEAF8-RA
  • JSO
SEARAY™ 0.80 mm

NovaRay™NovaRay ™ 112 Gbps PAM4、超高密度アレー

NovaRay™は、従来のアレーよりも40%少ないスペースに、超高密度でチャネルあたり112 Gbps PAM4のパフォーマンスを備えています。

特徴
  • チャネルあたり112 Gbps PAM4
  • 総合データレート4.0 Tbps - 9 IEEE 400Gチャネル
  • 革新的なフルシールド ディファレンシァル ペア設計により、きわめて低いクロストーク(最大40 GHz)と詳細なインピーダンス制御を実現
  • 平方インチあたりのディファレンシァル ペア数:112
  • 2箇所の接触部でより確実に接続
  • 85 Ωと100 Ωのアプリケーション両方に対応する92 Ωソリューション
シリーズ
V
  • NVAM
  • NVAF
  • NVAC
  • NVAM-C
NovaRay™

低背型ワンピースアレー低背型ワンピース コンプレッション アレー

最低1.27 mmの本体高さと両面コンプレッションまたは片面コンプレッションのコンタクトが特徴のハイスピード低背型ワンピース コンプレッション アレー。

特徴
  • 標準本体高さ:1.27 mmおよび2 mm
  • 1.00 mmピッチ
  • 両面コンプレッションまたは、はんだボール付き片面コンプレッション
  • 計100~400個のピン
  • 低コストのボードスタッキング、モジュール・ツー・ボード、およびLGAインターフェイスに最適
  • 熱膨張を最小化
シリーズ
V
  • GMI
低背型ワンピースアレー

LP Array™LP Array™低背型オープンピンフィールド高密度アレー

最低4 mmのスタック高さ、最大320の合計I/O数が特徴の低背型オープンピンフィールド アレー。

特徴
  • スタック高さ4 mm、4.5 mm、5 mm
  • 最大320 I/O
  • 4列、6列、8列設計
  • .050"(1.27 mm)ピッチ
  • デュアルビーム コンタクト システム
  • 作業を軽減するはんだ圧着終端実装
  • 最大18.5 GHz / 37 Gbpsのパフォーマンス
シリーズ
V
  • JSO
  • LPAF
  • LPAM
LP Array™

ExaMAX®Samtec ExaMAX®ハイスピード バックプレーン システム

ExaMAX® ハイスピード バックプレーン インターコネクトは、 56 Gbpsの伝送速度に対応する電気性能を備えています。

特徴
  • 列ピッチ2.00 mmで56 Gbpsの電気性能に対応
  • 設計者は密度の最適化やボード層数の削減が可能
  • 角度を付けた状態での嵌合の場合でも安定性を保つ、2箇所の接触部
  • Telcordia GR-1217 CORE規格に準拠
  • ディファレンシァル ペアスタッガード設計によるウエハー;72ペアまたは40ペア
  • 各ウエハーはワンピースのエンボス加工グランド構造が組み込まれ、クロストークを低減
  • 市場で最も低い挿入力:コンタクトあたり最大0.36 N
  • シグナルインテグリティを向上し、高いデータレートでのシグナルパスを長くするバックプレーン ケーブル アッセンブリー
  • SamtecのEye Speed®超低スキューTwinaxケーブルがより優れた柔軟性とルーティング可能性を提供
  • スタブフリー嵌合
  • プレスフィットターミネーション
  • 電源およびガイドモジュール搭載可
シリーズ
V
  • EBTM
  • EBTM-RA
  • EBTF-RA
  • EBDM-RA
  • EBCM
  • EBCF
  • EGBM
  • EGBF
  • EPTT
  • EPTS
  • EBCL
  • EBCB
ExaMAX®

DP Array®DP Array®専用ディファレンシャルペア アレー

コネクターあたり最大1テラビットのパフォーマンスを発揮するよう設計された、専用の高密度ディファレンシャルペア アレー。

特徴
  • ペリメーター グランドとスタッガード ピンのレイアウトがインタースティシャル グランドを排除し、ボードのルーティングを容易に
  • リターンパス不要
  • ボードの層数を削減
  • パフォーマンス:各ペアにつき最大4 GHz(コネクターあたり1テラビットまで)
  • 最大168使用可能ペア
  • スタック高さ10 mm
  • 低挿抜力
  • はんだ圧着終端
シリーズ
V
  • DPAF
  • DPAM
DP Array®

HD MezzHD Mezzアレー

最大35 mmまでのスタック高さに対応するエレベーテッドHD Mezz高密度オープンピン フィールドアレー。

特徴
  • 20 mm~35 mmのスタック高さに対応する特定のアプリケーション向けの機能。
  • オープンピン フィールド設計
  • パフォーマンス:最大9 GHz / 18 Gbps
  • 嵌合/抜去の際のコンタクトによる損傷を最小限に抑えるガイドポスト付き
  • ソルダーチャージ端子で実装が簡単
  • 2.00 mm x 1.20 mmピッチ
  • 最大299 I/O
  • Molex HD Mezzアレーと相互嵌合可能
  • HD MezzはMolex Incorporatedの商標です
シリーズ
V
  • HDAF
  • HDAM
HD Mezz

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